T 細胞表征
T 細胞在免疫細胞介導(dǎo)的感染或癌細胞殺傷的協(xié)調(diào)和執(zhí)行中至關(guān)重要。在 T 細胞的整個發(fā)育過程中,表面標(biāo)志物表達和細胞因子釋放的變化會導(dǎo)致功能的重大改變??乖R別后,細胞毒性效應(yīng) T 細胞被激活,誘導(dǎo)靶細胞殺傷能力。反復(fù)刺激可造成 T 細胞耗竭導(dǎo)致細胞功能喪失,最終造成細胞死亡。在抗原清除后,某些效應(yīng) T 細胞將轉(zhuǎn)化為長期記憶 T 細胞,保留存活和增殖特性。這些 T 細胞在重新接觸特定抗原時,能夠快速增殖,為機體提供長期免疫力。
目前有越來越多的免疫療法的正在開發(fā),例如雙特異性抗體、檢查點抑制劑和 CAR-T 細胞,可靶向 T 細胞活化和分化途徑的各個階段。這些療法旨在增強免疫系統(tǒng)的天然免疫力,攻克諸如癌癥之類的疾病。在 T 細胞發(fā)育過程中進行詳細的表征,可能會為治療提供更多洞見,改進治療方法。
檢測原理
圖 1.T 細胞表征工作流程原理示意圖。 T 細胞單獨培養(yǎng),或與標(biāo)記的靶細胞共培養(yǎng)。從細胞培養(yǎng)板中取 10 μL 樣本,用于 4 種不同的人 T 細胞生物學(xué)分析試劑盒(T 細胞活化分析試劑盒、T 細胞介導(dǎo)的殺傷分析試劑盒、T 細胞耗竭分析試劑盒和 T 細胞記憶分析試劑盒)。這些試劑盒可混合搭配,以適應(yīng)多種用戶需求。每個試劑盒中包含獨特的抗體組合,包括基礎(chǔ) T 細胞標(biāo)志物,用于分析細胞表面標(biāo)志物的表達,以及 2-plex Qbeads,用于定量分泌的細胞因子濃度,也可在各個孔中同時測定細胞增殖(可選)和活力。
關(guān)鍵優(yōu)勢
- 洞察更多生物學(xué)結(jié)果 - 在生理相關(guān)的模型中區(qū)分 T 細胞表型和功能
- 提高分析效率 - 通過一系列試劑盒進行高通量分析,可在盡可能短的時間內(nèi)提供多種 T 細胞表征
- 同時定量表面標(biāo)志物和細胞因子表達 - 在單孔內(nèi)獲得多種免疫表型和效應(yīng)細胞因子濃度的讀數(shù)
- 規(guī)格靈活,樣本消耗量少 - 一個分析孔板可用于多種試劑盒混合搭配分析
洞察更多生物學(xué)結(jié)果
圖 2. T 細胞應(yīng)答依賴于活化機制。 將 PBMCs(120 K/孔)與 Nuclight 綠色試劑標(biāo)記的 Ramos 細胞(40 /孔)進行共培養(yǎng)。使用 CD3/CD28 Dynabead、CD3×CD19 BiTE 抗體或葡萄球菌腸毒素 B (SEB) 誘導(dǎo)活化。在 60 h 時,使用 T 細胞活化分析試劑盒、T 細胞介導(dǎo)的細胞殺傷分析試劑盒和 T 細胞耗竭分析試劑盒聯(lián)合 iQue? 3 系統(tǒng)分析 10 μL 樣本。
每種活化因子會導(dǎo)致不同的 CD3+ T 細胞蛋白表達和殺傷特征:
- CD3/CD28 Dynabead 誘導(dǎo)的 T 細胞活化呈現(xiàn)濃度依賴的特性。最高的微球數(shù)量對應(yīng)于最大的活化標(biāo)志物表達百分比。該結(jié)果與高水平的細胞耗竭標(biāo)志物呈現(xiàn)相關(guān)性。
- 與 Dynabead 和 SEB 相比,CD3×CD19 BiTE 抗體介導(dǎo)的靶細胞死亡增量最多,活化和耗竭水平顯著降低。這說明 BiTE 介導(dǎo)的免疫細胞殺傷時間可能持續(xù)的較長。
- SEB 刺激,即使在最低濃度下,也可使 T 細胞活化并產(chǎn)生最大殺傷率,導(dǎo)致高水平的 T 細胞耗竭。
提高分析效率
圖 3.活化機制直接影響 T 細胞的細胞因子釋放。
使用來自 T 細胞活化分析試劑盒、T 細胞介導(dǎo)的細胞殺傷分析試劑盒和 T 細胞耗竭分析試劑盒的 Qbeads 測定 Nuclight 綠色標(biāo)記的 Ramos 和 PBMC(3:1 比例)共培養(yǎng)時細胞因子的釋放數(shù)據(jù)。在多個試劑盒中均檢測了 IFN? 和 TNFa 的濃度,以便將所有試劑盒的測定結(jié)果取平均值。
各個活化因子對細胞因子分泌和對表面蛋白表達的影響相當(dāng):
- 在使用的微球數(shù)量范圍內(nèi),CD3/CD28 Dynabead 誘導(dǎo)的細胞因子釋放呈濃度依賴性增加。
- 與微球或 SEB 相比,CD3×CD19 BiTE 刺激后的細胞因子釋放始終較低(最高刺激濃度下的顆粒酶 B 濃度除外)。該結(jié)果表明,在降低毒性風(fēng)險的情況下(例如細胞因子釋放綜合征),可以實現(xiàn)高水平的細胞殺傷。
- SEB 可誘導(dǎo)高水平的細胞因子釋放(即使在低濃度下)。
* 達到檢測上限
同時進行表面蛋白和細胞因子表達的定量測定
圖 4.記憶 T 細胞應(yīng)答受刺激方法的影響。將 PBMC(120 K/孔)和 Ramos 細胞(3:1 E:T 比例)與 3 種不同的活化因子進行共培養(yǎng)。在 60 h 時,使用人 T 細胞記憶分析試劑盒分析 10 μL 樣本。
(A) 圖中顯示了 T 細胞發(fā)育為不同的記憶 T 細胞表型時表面標(biāo)志物表達的改變。從左到右分別為:初始 T 細胞 (TN)、干細胞樣記憶 T 細胞 (TSCM)、中央記憶型 T 細胞 (TCM)、移行記憶 T 細胞 (TTM)、效應(yīng)記憶 T 細胞 (TEM)、末端效應(yīng) T 細胞 (TTE)、細胞死亡。
(B)、(C) 和 (D) 圖展示了在記憶 T 細胞發(fā)育的各個階段表達蛋白的 CD3+ 細胞百分比和 IL-10 的釋放數(shù)據(jù)。圖中的藍色柱代表沒有活化因子的對照組?;疑砀鱾€活化因子 3 個依次遞增的濃度(由淺至深):CD3/CD28 Dynabead(30 K、120 K 和 480 K 個微球/孔);CD3×CD19 BiTE(0.12、1.1 和 10 ng/mL);SEB(1.2、11 和 100 ng/mL)。
BiTE 抗體誘導(dǎo)的活化結(jié)果顯示,與 Dynabead 和 SEB 的刺激相比,晚期階段的記憶 T 細胞(即 TEM 和 TTE)比例最低,早期階段(TN、TSCM 和 TCM)的 T 細胞數(shù)量較多。這表明 BiTE 抗體的刺激能夠誘導(dǎo)更高水平的細胞殺傷(如圖 3 所示),同時也使更高比例記憶 T 細胞能夠保持其自我更新的潛能,從而對抗原產(chǎn)生更強的免疫應(yīng)答。
在與貼壁靶細胞系共培養(yǎng)后可進行 T 細胞表征
圖 6. ?可在與貼壁細胞系共培養(yǎng)后檢測刺激 T 細胞的效果。將 PBMCs(25 K/孔)與貼壁 AU565 細胞(5 K/孔)進行共培養(yǎng)。使用 SEB 誘導(dǎo) T 細胞活化。在 60 h 時,使用 T 細胞活化分析試劑盒、T 細胞介導(dǎo)的細胞殺傷和 T 細胞耗竭分析試劑盒聯(lián)合 iQue? 3 系統(tǒng)提取靶細胞和效應(yīng)細胞,進行終點分析。
SEB 活化誘導(dǎo)靶細胞殺傷呈濃度依賴性增加,伴隨 CD3+ T 細胞上活化(CD69、CD25 和 HLA-DR)和耗竭(PD-1、LAG-3 和 TIM-3)標(biāo)志物的高表達(在所有使用的 SEB 濃度中均是如此)。
T 細胞活化
抗原和共刺激信號對初始 T 細胞的活化啟動了 CD4+ 輔助 T 細胞和 CD8+ 細胞毒性 T 細胞的克隆擴增。除 T 細胞增殖外,多個信號通路被激活,引起功能性細胞表面標(biāo)志物的表達和細胞因子的釋放。
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人 T 細胞活化和細胞因子分析試劑盒 | ||
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1 × 96 孔 | 90560 | |
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